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DDR4与DDR3内存区别分析及未来发展
    近期有关DDR4内存的消息越来越多,让我们有理由相信明年将会成为其大放异彩的时期,不过在过去的报道中,一直提到DDR4内存会在2014年露面,如今已经提前出现,看来内存的发展也开始提速了。内存作为PC不可缺少的重要核心部件,从规格、技术、总线带宽等不断更新换代,其目的在于提高内存的带宽,以满足CPU不断攀升的带宽要求、避免成为高速CPU运算的瓶颈。首先先让我们一起来了解内存发展的历史。

  在最初的时候,还没有内存条的概念,当时电脑上使用的内存只是一块块的IC,直接焊接到主板上,不过因为为维修带来了困难,一旦某块内存IC坏了,就必须焊下来才能更换,因此,电脑设计人员推出了模块化的条装内存,每一条上集成了多块内存IC,同时在主板上也设计相应的内存插槽,这样内存条就方便随意安装与拆卸了,内存的维修、升级都变得非常简单。

  之后内存经历了从首代的SIMM内存发展到EDO DRAM内存,以及比较经典的SDRAM时代、Rambus DRAM内存,直到2001年开始进入DDR时代,而颠峰于DDR400,由于频率无法继续提升,在2004年开始推出DDR2内存,到2006年DDR2 800正式进入顶峰时期至今,硬件的发展在未来已经不足以让DDR2 800继续领跑,那么进入2009年,DDR3 1333内存开始将DDR3内存推向市场主流,而每次的内存发展,都完全因技术瓶颈,而进入新的时代。

         DDR4与DDR3内存区别分析及未来发展
 
   DDR3花了足足三年的时间才完成对DDR2的取代,下一代内存DDR4的预期则只有一年,就要成为新的主流规格。DDR4内存规格原计划在2011年制定完成,2012年开始投入生产并上市,不过之后则预测将在2014年才会出现,不过如今就已经出现了消费级DDR4产品的实物了。英特尔在2012年的IDF的会议课程上也预测在2014年DDR4将成为主流,而到了2015年将会与DDR3势均力敌。

  DDR4与DDR3区别
   1.新的JEDEC POD12接口标准,DDR4内存的VDDQ电压将设定在1.2V
   2.新的终止调度:在DDR4中DQ bus可以转移终止到VDDQ,这样可以即时VDD电压降低的情况下也能保证稳定 
   3.正常和动态的ODT:改进ODT协议,并且采用新的Park Mode模式可以允许正常终结和动态吸入终结,而不需要去驱动ODT Pin。
   4.新的数据总线CRC技术,可以进行传输过程中的错误侦测,特别对非ECC内存进行写入操作时有帮助。
   5.针对命令和地址总线的新的CA奇偶校验
   6.DLL关闭模式支持

   DDR4虽然性能提升了,不过在功耗方面,依然控制的比较理想,这给以后的笔记本等方案可以带来更长的电池续航时间。因此DDR4的预期普及速度会非常快,预计2014年当年就会占全球内存总出货量的12%,也就是大约1.22亿条;2015年就会坐火箭一般窜升到56%,出货量将近6亿条,将DDR3的比例从85%挤到只剩42%,迅速完成世代交替。
 
   目前多家
内存厂家
已经展示了自己的DDR4内存的样品,不过到真正实际应用,还需要英特尔等厂商在整体的PC架构上进行改变才能够实现,尤其是需要进入到主流的笔记本和桌面级PC平台。 
          如今我们有理由相信,内存正在加速向前发展,从内存的更新换代时间,以及整体性能上的飞跃都可以看到,DDR3代替DDR2需要三年时间,而DDR4代替
DDR3内存
则预计只要1年时间,DDR4的出现时间也已经从2014年提到了2013年。
 
   而且当前的内存形式并不乐观,许多内存制造商已将产能更多地生产手机用内存和其他非PC内存,已经导致PC用内存现货价格飙升。PC未来的发展也更趋向高端化,内存也需要进一步提升带宽来迎合,所以加速发展才是必然之路。
 


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